Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPU103N08N3 G
IPU103N08N3 G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPU103N08N3 G

Номер детали производителя IPU103N08N3 G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Упаковка PG-TO251-3
В наличии 4161 pcs
Техническая спецификация IPU103N08N3 GPart Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4161 Infineon Technologies IPU103N08N3 G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO251-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3mOhm @ 46A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 100W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2410 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IPU103N

Рекомендуемые продукты

IPU103N08N3 G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPU103N08N3 G

Связанные детали для IPU103N08N3 G